قطعه نیمه ماه 8 اینچی برای کارخانه راکتور LPE

تولید کننده دیسک چرخشی سیاره ای با پوشش کاربید تانتالیوم

تامین کننده بشکه با پوشش SiC برای LPE PE2061S

پوشش کاربید تانتالیوم

نیمه هادی VeTek تولید کننده پیشرو مواد پوشش کاربید تانتالم برای صنعت نیمه هادی است. محصولات اصلی ما شامل قطعات پوشش کاربید تانتالم CVD، قطعات پوشش TaC متخلخل شده برای رشد کریستال SiC یا فرآیند اپیتاکسی نیمه هادی است. با تصویب ISO9001، نیمه هادی VeTek کنترل خوبی بر کیفیت دارد. نیمه هادی VeTek برای تبدیل شدن به مبتکر در صنعت پوشش کاربید تانتالم از طریق تحقیق و توسعه مداوم فناوری های تکراری اختصاص داده شده است.

محصولات اصلی هستندحلقه ناقص پوشش کاربید تانتالیوم، حلقه انحرافی با پوشش TaC، قطعات نیمه ماه با پوشش TaC، دیسک چرخش سیاره ای با پوشش کاربید تانتالم (Aixtron G10)، بوته با پوشش TaC. حلقه های با پوشش TaC; گرافیت متخلخل با پوشش TaC; گیره گرافیتی پوشش کاربید تانتالم; حلقه راهنما با پوشش TaC; صفحه پوشش داده شده با کاربید تانتالم TaC; گیرنده ویفر با پوشش TaC; حلقه پوشش TaC; پوشش گرافیتی پوشش TaC; تکه با پوشش TaCو غیره، خلوص زیر 5ppm است، می تواند نیازهای مشتری را برآورده کند.

گرافیت پوشش TaC با پوشش دادن سطح یک بستر گرافیت با خلوص بالا با یک لایه ریز کاربید تانتالیوم توسط فرآیند اختصاصی رسوب بخار شیمیایی (CVD) ایجاد می شود. مزیت آن در تصویر زیر نشان داده شده است:

Performance Advantages of Tantalum Carbide Coating

پوشش کاربید تانتالیوم (TaC) به دلیل نقطه ذوب بالای آن تا 3880 درجه سانتیگراد، استحکام مکانیکی عالی، سختی و مقاومت در برابر شوک های حرارتی مورد توجه قرار گرفته است و آن را به جایگزینی جذاب برای فرآیندهای اپیتاکسی نیمه هادی مرکب با شرایط دمایی بالاتر تبدیل کرده است. مانند سیستم Aixtron MOCVD و فرآیند اپیتاکسی LPE SiC. همچنین کاربرد گسترده ای در فرآیند رشد کریستال SiC روش PVT دارد.

ویژگی های کلیدی:

پایداری دما

خلوص فوق العاده بالا

مقاومت در برابر H2، NH3، SiH4، Si

مقاومت در برابر استوک حرارتی

چسبندگی قوی به گرافیت

پوشش پوششی منسجم

اندازه تا قطر 750 میلی متر (تنها سازنده در چین به این اندازه می رسد)

برنامه های کاربردی:

حامل ویفر

گیرنده گرمایش القایی

المنت حرارتی مقاومتی

دیسک ماهواره

سر دوش

حلقه راهنما

گیرنده LED Epi

نازل تزریق

حلقه ماسک

سپر حرارتی

پوشش کاربید تانتالیوم (TaC) روی سطح مقطع میکروسکوپی:

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section

پارامتر پوشش کاربید تانتالم نیمه هادی VeTek:

خواص فیزیکی پوشش TaC
تراکم	14.3 (g/cm³)
انتشار ویژه	0.3
ضریب انبساط حرارتی	6.3 10^-6/ ک
سختی (HK)	2000 هنگ کنگ
مقاومت	1×10^-5اهم * سانتی متر
پایداری حرارتی	<2500℃
اندازه گرافیت تغییر می کند	-10~-20 میلی متر
ضخامت پوشش	مقدار معمولی ≥20um (10±35um)

داده های EDX پوشش TaC：

TaC coating EDX data

داده های ساختار کریستالی پوشش TaC

عنصر	درصد اتمی
	Pt. 1	Pt. 2	Pt. 3	میانگین
سی ک	52.10	57.41	52.37	53.96
تا ام	47.90	42.59	47.63	46.04

چاک پوشش TaC دیسک سیاره ای پوشش TaC صفحه با پوشش TaC صفحه چرخشی پوشش TaC گیرنده پوشش TaC پوشش CVD TaC پوشش حلقه پوشش CVD TaC صفحه پوشش TaC

پوشش کاربید سیلیکون

نیمه هادی VeTek در تولید محصولات پوشش کاربید سیلیکون فوق خالص تخصص دارد، این پوشش ها برای اعمال بر روی گرافیت خالص، سرامیک و اجزای فلزی نسوز طراحی شده اند.

پوشش‌های با خلوص بالا عمدتاً برای استفاده در صنایع نیمه‌رسانا و الکترونیک هدف‌گذاری شده‌اند. آنها به عنوان یک لایه محافظ برای حامل‌های ویفر، گیرنده‌ها و عناصر گرمایشی عمل می‌کنند و از آنها در برابر محیط‌های خورنده و واکنش‌پذیری که در فرآیندهایی مانند MOCVD و EPI با آن مواجه می‌شوند، محافظت می‌کنند. این فرآیندها برای پردازش ویفر و ساخت دستگاه یکپارچه هستند. علاوه بر این، پوشش‌های ما برای کاربرد در کوره‌های خلاء و گرمایش نمونه، که در آن محیط‌های خلاء، واکنش‌پذیر و اکسیژن بالا وجود دارد، مناسب هستند.

در VeTek Semiconductor، ما یک راه حل جامع با قابلیت های پیشرفته ماشین آلات خود ارائه می دهیم. این ما را قادر می سازد تا اجزای پایه را با استفاده از گرافیت، سرامیک یا فلزات نسوز تولید کنیم و پوشش های سرامیکی SiC یا TaC را در داخل خود اعمال کنیم. ما همچنین خدمات پوشش را برای قطعات عرضه شده توسط مشتری ارائه می دهیم و انعطاف پذیری را برای رفع نیازهای مختلف تضمین می کنیم.

محصولات پوشش سیلیکون کاربید ما به طور گسترده ای در اپیتاکسی Si، اپیتاکسی SiC، سیستم MOCVD، فرآیند RTP/RTA، فرآیند اچینگ، فرآیند اچینگ ICP/PSS، فرآیند انواع LED، از جمله LED آبی و سبز، LED UV و UV عمیق استفاده می شود. LED و غیره، که با تجهیزات LPE، Aixtron، Veeco، Nuflare، TEL، ASM، Annealsys، TSI و غیره سازگار است.

قطعات راکتوری که می توانیم انجام دهیم:

پوشش سیلیکون کاربید چندین مزیت منحصر به فرد دارد:

Silicon Carbide Coating several unique advantages

پارامتر پوشش سیلیکون کاربید نیمه هادی VeTek:

خواص فیزیکی اولیه پوشش CVD SiC
اموال	ارزش معمولی
ساختار کریستالی	فاز β FCC پلی کریستالی، عمدتاً (111) گرا
تراکم	3.21 گرم بر سانتی متر مکعب
سختی	سختی 2500 ویکرز (بار 500 گرم)
اندازه دانه	2 تا 10 میکرومتر
خلوص شیمیایی	99.99995%
ظرفیت حرارتی	640 J·kg-1·K-1
دمای تصعید	2700 ℃
قدرت خمشی	415 مگاپاسکال RT 4 نقطه
مدول یانگ	430 Gpa 4pt خم، 1300 ℃
هدایت حرارتی	300W·m-1·K-1
انبساط حرارتی (CTE)	4.5×10-6K-1

SEM data and structure of CVD SIC films

ویفر

Wafer Substrate is a wafer made of semiconductor single crystal material. The substrate can directly enter the wafer manufacturing process to produce semiconductor devices, or it can be processed by epitaxial process to produce epitaxial wafers.

Wafer Substrate, as the basic supporting structure of semiconductor devices, directly affects the performance and stability of the devices. As the "foundation" for semiconductor device manufacturing, a series of manufacturing processes such as thin film growth and lithography need to be carried out on the substrate.

Summary of substrate types:

1. Single crystal silicon wafer: currently the most common substrate material, widely used in the manufacture of integrated circuits (ICs), microprocessors, memories, MEMS devices, power devices, etc.;

2. SOI substrate: used for high-performance, low-power integrated circuits, such as high-frequency analog and digital circuits, RF devices and power management chips;

3. Compound semiconductor substrates: Gallium arsenide substrate (GaAs): microwave and millimeter wave communication devices, etc. Gallium nitride substrate (GaN): used for RF power amplifiers, HEMT, etc. Silicon carbide substrate (SiC): used for electric vehicles, power converters and other power devices Indium phosphide substrate (InP): used for lasers, photodetectors, etc.;

4. Sapphire substrate: used for LED manufacturing, RFIC (radio frequency integrated circuit), etc.;

Vetek Semiconductor is a professional SiC Substrate and SOI substrate supplier in China. Our 4H semi-insulating type SiC substrate and 4H Semi Insulating Type SiC Substrate are widely used in key components of semiconductor manufacturing equipment.

Vetek Semiconductor is committed to providing advanced and customizable Wafer Substrate products and technical solutions of various specifications for the semiconductor industry. We sincerely look forward to becoming your supplier in China.

ALD

Thin film preparation processes can be divided into two categories according to their film forming methods: physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD), of which CVD process equipment accounts for a higher proportion. Atomic layer deposition (ALD) is one of the chemical vapor deposition (CVD).

Atomic layer deposition technology (Atomic Layer Deposition, referred to as ALD) is a vacuum coating process that forms a thin film on the surface of a substrate layer by layer in the form of a single atomic layer. ALD technology is currently being widely adopted by the semiconductor industry.

Atomic layer deposition process:

Atomic layer deposition usually includes a cycle of 4 steps, which is repeated as many times as needed to achieve the required deposition thickness. The following is an example of ALD of Al₂O₃, using precursor substances such as Al(CH₃) (TMA) and O₂.

Step 1) Add TMA precursor vapor to the substrate, TMA will adsorb on the substrate surface and react with it. By selecting appropriate precursor substances and parameters, the reaction will be self-limiting.

Step 2) Remove all residual precursors and reaction products.

Step 3) Low-damage remote plasma irradiation of the surface with reactive oxygen radicals oxidizes the surface and removes surface ligands, a reaction that is also self-limiting due to the limited number of surface ligands.

Step 4) Reaction products are removed from the chamber.

Only step 3 differs between thermal and plasma processes, with H₂O being used in thermal processes and O₂ plasma being used in plasma processes. Since the ALD process deposits (sub)-inch-thick films per cycle, the deposition process can be controlled at the atomic scale.

1st Half-Cycle Purge 2nd Half-Cycle Purge

Highlights of Atomic Layer Deposition (ALD):

1) Grow high-quality thin films with extreme thickness accuracy, and only grow a single atomic layer at a time

2) Wafer thickness can reach 200 mm, with typical uniformity <±2%

3) Excellent step coverage even in high aspect ratio structures

4) Highly fitted coverage

5) Low pinhole and particle levels

6) Low damage and low temperature process

7) Reduce nucleation delay

8) Applicable to a variety of materials and processes

Compared with traditional chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD), the advantages of ALD are excellent three-dimensional conformality, large-area film uniformity, and precise thickness control, etc. It is suitable for growing ultra-thin films on complex surface shapes and high aspect ratio structures. Therefore, it is widely applicable to substrates of different shapes and does not require control of reactant flow uniformity.

Comparison of the advantages and disadvantages of PVD technology, CVD technology and ALD technology:

PVD technology	CVD technology	ALD technology
Faster deposition rate	Average deposition rate	Slower deposition rate
Thicker film thickness, poor control of nano-level film thickness precision	Medium film thickness (depends on the number of reaction cycles)	Atomic-level film thickness
The coating has a single directionality	The coating has a single directionality	Good uniformity of large-area film thickness
Poor thickness uniformity	Average step coverage	Best step coverage
Poor step coverage	\	Dense film without pinholes

Advantages of ALD technology compared to CVD technology (Source: ASM)

Vetek Semiconductor is a professional ALD Susceptor products supplier in China. Our ALD Susceptor, SiC coating ALD susceptor and ALD Planetary Susceptor are widely used in key components of semiconductor manufacturing equipment. Vetek Semiconductor is committed to providing advanced and customizable ALD Susceptor products and technical solutions of various specifications for the semiconductor industry. We sincerely look forward to becoming your supplier in China.

محصولات ویژه

درباره ما

VeTek Semiconductor Technology Co., LTD که در سال 2016 تأسیس شد، ارائه دهنده پیشرو مواد پوشش پیشرفته برای صنعت نیمه هادی است. بنیانگذار ما، کارشناس سابق موسسه مواد آکادمی علوم چین، این شرکت را با تمرکز بر توسعه راه حل های پیشرفته برای صنعت تاسیس کرد.

محصولات اصلی ما شاملپوشش های کاربید سیلیکون (SiC) CVD, پوشش های کاربید تانتالیوم (TaC), SiC فله، پودرهای SiC و مواد SiC با خلوص بالا. محصولات اصلی شامل گیرنده گرافیت با پوشش SiC، حلقه های پیش گرم، حلقه انحراف با پوشش TaC، قطعات نیمه ماه و غیره است، خلوص زیر 5ppm است، می تواند نیازهای مشتری را برآورده کند.

ادامه مطلب