حلقه پشتیبانی با پوشش SiC

VeTek Semiconductor یک تولید کننده و تامین کننده حرفه ای در چین است که عمدتاً حلقه های پشتیبانی با پوشش SiC، پوشش های کاربید سیلیکون CVD (SiC)، پوشش های کاربید تانتالم (TaC)، SiC حجیم، پودرهای SiC و مواد SiC با خلوص بالا را تولید می کند. ما متعهد به ارائه پشتیبانی فنی کامل و راه حل های محصول نهایی برای صنعت نیمه هادی هستیم، با ما تماس بگیرید.

ارسال استعلام

توضیحات محصول

نیمه هادی VeTek، تولید کننده و تامین کننده پیشرو مستقر در چین، متخصص در تولید طیف وسیعی از محصولات از جملهحلقه های پشتیبانی با پوشش SiCپوشش‌های کاربید سیلیکون CVD، پوشش‌های کاربید تانتالیوم، SiC حجیم، پودرهای SiC و مواد SiC با خلوص بالا. تعهد ما در ارائه کمک های فنی جامع و وضوح محصول بهینه متناسب با بخش نیمه هادی است. برای اطلاعات بیشتر و کمک با ما در تماس باشید.

نیمه هادی VeTekاستحلقه های پشتیبانی با پوشش SiCنسل جدیدی از مواد مقاوم در برابر دمای بالا هستند. به عنوان پوشش‌های مقاوم در برابر خوردگی، پوشش‌های مقاوم در برابر اکسیداسیون و پوشش‌های مقاوم در برابر سایش، می‌توانند در محیط‌های بالاتر از 1650 درجه سانتیگراد استفاده شوند و به طور گسترده در زمینه‌های نیمه‌رسانا استفاده می‌شوند.

ویژگی های با کیفیت بالاحلقه های پشتیبانی با پوشش SiCنقش بسیار مهمی در رشد همپایی اجزای نیمه هادی نسل سوم دارند.

حفظ یکنواختی دما: حلقه های نگهدارنده با پوشش SiC دارای رسانایی حرارتی عالی هستند و می توانند توزیع دمایی یکنواخت را در طول رشد اپیتاکسیال فراهم کنند. این به کاهش گرادیان های حرارتی و تنش های روی سطح ویفر کمک می کند و در نتیجه کیفیت لایه اپیتاکسیال را بهبود می بخشد.

پایداری شیمیایی شدید: در طول فرآیند رشد اپیتاکسیال،حلقه های پشتیبانی با پوشش SiCقادر به مقاومت در برابر حمله شیمیایی ناشی از گازهای واکنش، افزایش عمر حلقه های نگهدارنده و حفظ یکپارچگی فرآیند هستند. این پایداری شیمیایی به کاهش خطر آلودگی و بهبود خلوص و عملکرد دستگاه های نیمه هادی کمک می کند.

موقعیت یابی دقیق: حلقه های نگهدارنده با پوشش SiC قادر به حفظ موقعیت دقیق ویفر هستند که برای دستیابی به رسوب یکنواخت لایه بسیار مهم است. این موقعیت دقیق به اطمینان از ثبات ضخامت و کیفیت لایه اپیتاکسیال کمک می کند.

خواص فیزیکی اولیه پوشش CVD SiC: