ویفر سیلیکون روی عایق

اصل کار ازنیمه هادی VeTek'sویفر عایق سیلیکونیعمدتاً به ساختار منحصر به فرد و خواص مواد متکی است. و ویفر SOIاز سه لایه تشکیل شده است: لایه بالایی یک لایه دستگاه سیلیکونی تک کریستالی، لایه میانی یک لایه اکسید مدفون عایق (BOX) و لایه پایینی یک بستر سیلیکونی است.

تشکیل لایه عایقویفر Silicon On Insulator معمولاً با استفاده از فناوری Smart Cut™ یا فناوری SIMOX (جداسازی با اکسیژن کاشته شده) تولید می شود. فناوری Smart Cut™ یون‌های هیدروژن را به ویفر سیلیکونی تزریق می‌کند تا یک لایه حباب ایجاد کند و سپس ویفر تزریق شده با هیدروژن را به ویفر سیلیکونی پشتیبان پیوند می‌دهد. پس از عملیات حرارتی، ویفر تزریق شده با هیدروژن از لایه حباب جدا می شود تا یک ساختار SOI تشکیل شود. فناوری SIMOX یون‌های اکسیژن پرانرژی را در ویفرهای سیلیکونی کاشت می‌کند تا یک لایه اکسید سیلیکون را در دمای بالا تشکیل دهد.

کاهش ظرفیت انگلی: لایه BOX ازویفر سیلیکون روی عایقبه طور موثر لایه دستگاه و سیلیکون پایه را جدا می کند و ظرفیت انگلی را به میزان قابل توجهی کاهش می دهد. این جداسازی باعث کاهش مصرف برق و افزایش سرعت و عملکرد دستگاه می شود.

اجتناب از اثرات قفل: دستگاه های n-well و p-well درویفر SOIبه طور کامل ایزوله شده اند و از اثر قفل در ساختارهای CMOS سنتی اجتناب می کنند. این اجازه می دهدویفر سیلیکون روی عایق با سرعت های بالاتر تولید شود.

عملکرد توقف اچ: لایه دستگاه سیلیکون تک کریستال و ساختار لایه BOX ویفر SOI ساخت MEMS و دستگاه های الکترونیکی نوری را تسهیل می کند و عملکرد اچ استاپ عالی را ارائه می دهد.

از طریق این ویژگی ها،ویفر سیلیکون روی عایقنقش مهمی در پردازش نیمه هادی ایفا می کند و باعث توسعه مداوم صنایع مدار مجتمع (IC) و سیستم های میکروالکترومکانیکی (MEMS) می شود. ما صمیمانه منتظر ارتباط و همکاری بیشتر با شما هستیم.

پارامتر محصول：

مغازه های تولیدی:

مروری بر زنجیره صنعت اپیتاکسی تراشه های نیمه هادی：