حلقه راهنما با پوشش TaC

VeTek Semiconductor یک تولید کننده و مبتکر برجسته حلقه راهنما با پوشش TaC در چین است. ما سال ها در زمینه پوشش سرامیکی تخصص داشته ایم. حلقه راهنمای با پوشش TaC عمدتاً برای هدایت و کنترل جریان هوا استفاده می شود و عملکرد رشد تک کریستال را افزایش می دهد. خوش آمدید برای اطلاعات بیشتر از ما پرس و جو کنید.

ارسال استعلام

توضیحات محصول

حلقه راهنمای با پوشش TaC با کیفیت بالا توسط سازنده چینی VeTek Semiconductor ارائه شده است. انگشتر راهنما با روکش TaC را با کیفیت بالا به طور مستقیم با قیمت پایین خریداری کنید.

عملکرد و ویژگی‌های حلقه راهنمای VeTek Semiconductor TaC Coated:

مقاومت در برابر درجه حرارت بالا، چگالی بالا و فشردگی بالا؛ مقاومت در برابر خوردگی عالی

خلوص بالا با محتوای ناخالصی <5PPM.

از نظر شیمیایی نسبت به گازهای آمونیاک و هیدروژن در دماهای بالا بی اثر است. پایداری حرارتی عالی

عملکرد و ویژگی‌های حلقه راهنمای VeTek Semiconductor TaC Coated:

رشد کریستال

راکتورهای اپیتاکسیال کاربید سیلیکون.

پره های توربین گاز.

نازل های با دمای بالا و مقاوم در برابر اکسیداسیون.

توضیحات محصول:

پوشش TaC یک ماده با دمای بالا نسل بعدی است که در مقایسه با SiC از پایداری حرارتی بالاتری برخوردار است. این به عنوان یک پوشش مقاوم در برابر خوردگی، مقاوم در برابر اکسیداسیون و مقاوم در برابر سایش عمل می کند که قادر به مقاومت در برابر محیط های بالای 2000 درجه سانتیگراد است. به طور گسترده در هوافضا برای اجزای با دمای فوق العاده بالا و همچنین در رشد تک کریستال نیمه هادی نسل سوم و زمینه های دیگر استفاده می شود.

VeTek Semiconductor علاوه بر لوله گرافیتی با پوشش TaC، حلقه های با پوشش TaC، بوته با پوشش TaC، گرافیت متخلخل با پوشش TaC، گیرنده گرافیت با پوشش TaC، حلقه راهنمای با پوشش TaC، صفحه پوشش دار با کاربید تانتالیوم TaC، حلقه پوشش TaC، پوشش TaC پوشش داده شده را نیز عرضه می کند. تکه برای کوره رشد کریستال مانند زیر:

روش PVT رشد کریستال SiC

پارامتر محصول حلقه راهنما با پوشش TaC

خواص فیزیکی پوشش TaC
تراکم	14.3 (g/cm³)
انتشار ویژه	0.3
ضریب انبساط حرارتی	6.3 10-6/K
سختی (HK)	2000 هنگ کنگ
مقاومت	1×10-5 اهم * سانتی متر
پایداری حرارتی	<2500℃
اندازه گرافیت تغییر می کند	-10~-20 میلی متر
ضخامت پوشش	مقدار معمولی ≥20um (10±35um)