لوله با روکش کاربید تانتالم برای رشد کریستال

VeTek Semiconductor یک لوله با پوشش کاربید تانتالوم برای رشد کریستال تولید کننده و مبتکر در چین است. ما سالها در زمینه پوشش سرامیکی تخصص داشته ایم. محصولات ما دارای خلوص بالا و مقاومت در برابر دمای بالا هستند. ما مشتاقانه منتظر هستیم که شریک طولانی مدت شما شویم. در چین

ارسال استعلام

توضیحات محصول

می توانید مطمئن باشید که لوله پوشیده شده با کاربید تانتالم سفارشی برای رشد کریستال را از نیمه هادی VeTek خریداری کنید. ما مشتاقانه منتظر همکاری با شما هستیم، اگر می خواهید بیشتر بدانید، می توانید اکنون با ما مشورت کنید، ما به موقع به شما پاسخ خواهیم داد!

نیمه هادی VeTek لوله پوشیده شده با کاربید تانتالم را برای رشد کریستال ارائه می دهد که به طور خاص برای رشد کریستال SiC با استفاده از روش انتقال بخار فیزیکی (PVT) طراحی شده است. لوله های گرافیتی VeTek Semiconductor دارای خلوص بالا با پوشش کاربید تانتالیوم CVD هستند که عملکرد بهینه را در رشد کریستال SiC تضمین می کند. کریستال های SiC که به عنوان نیمه هادی های نسل سوم شناخته می شوند، پتانسیل بسیار زیادی در کاربردهای مختلف دارند. با استفاده از لوله با پوشش کاربید تانتالیوم برای رشد کریستال، محققان و متخصصان صنعت می توانند به طور موثر رشد SiC را بهینه کرده و بول های کریستال SiC با کیفیت بالا تولید کنند. چه درگیر تحقیق یا تولید صنعتی باشید، محصولات ما راه حل های قابل اعتمادی برای رشد کارآمد کریستال SiC ارائه می دهند.

VeTek Semiconductor علاوه بر لوله گرافیتی با پوشش TaC، حلقه های با پوشش TaC، بوته با پوشش TaC، گرافیت متخلخل با پوشش TaC، گیرنده گرافیت با پوشش TaC، حلقه راهنمای با پوشش TaC، صفحه پوشش دار با کاربید تانتالیوم TaC، حلقه پوشش TaC، پوشش TaC پوشش داده شده را نیز عرضه می کند. تکه برای کوره رشد کریستال مانند زیر:

TaC coated graphite tube

روش PVT رشد کریستال SiC

PVT method SiC Crystal Growth

پارامتر محصول لوله با پوشش کاربید تانتالیوم برای رشد کریستال

خواص فیزیکی پوشش TaC
تراکم	14.3 (g/cm³)
انتشار ویژه	0.3
ضریب انبساط حرارتی	6.3 10^-6/ ک
سختی (HK)	2000 هنگ کنگ
مقاومت	1×10^-5اهم * سانتی متر
پایداری حرارتی	<2500℃
اندازه گرافیت تغییر می کند	-10~-20 میلی متر
ضخامت پوشش	مقدار معمولی ≥20um (10±35um)