چاک الکترواستاتیک سرامیکی

فرآیندهای تولید نیمه هادی، به ویژه پردازش ویفر، در محیط خلاء انجام می شود و گیره مکانیکی ویفرها را حمل می کند. 

خطرات خاص هنگامی که نیرو روی نقطه گیره متمرکز می شود، ویفرهای سیلیکونی شکننده ممکن است قطعات ریز را بریزند و آسیب جدی به تولید ویفر وارد کنند.

در این صورت چاک الکترواستاتیک سرامیکی انتخاب بهتری می شود که ویفر را با نیروی الکترواستاتیک فیکس می کند. نیروی الکترواستاتیک به طور یکنواخت بر روی ویفر تأثیر می گذارد، بنابراین ویفر را می توان به طور مسطح ثابت کرد و دقت فرآیند را بهبود بخشید.

طبق مقالات تحقیقاتی مربوطه، چاک الکترواستاتیک سرامیکی مکش قوی تری نسبت به سایر چاک های الکترواستاتیک دارد. به عنوان مثال، چاک الکترواستاتیک سرامیکی مکش بسیار قوی تری نسبت به چاک الکترواستاتیک فیلم PET دارد.

چاک سرامیکی معمولاً از مواد سرامیکی با کارایی بالا مانند Al2O3، AlN یا SiC ساخته می شود که مقاومت حرارتی، عایق و مقاومت بالایی در برابر خوردگی دارد. چاک سرامیکی SiC متخلخل نه تنها در دماهای شدید پایدار است، بلکه به طور موثری از تخریب E-chack سرامیکی به دلیل واکنش‌های شیمیایی و اچ پلاسما در طول فرآیند تولید جلوگیری می‌کند.

کنترل دمارسانایی حرارتی بالا و خواص حرارتی پایدار مواد سرامیکی، چاک خلاء سرامیکی آلومینا را قادر می سازد تا به طور موثر دما را کنترل کند و در نتیجه توزیع دما را در طول فرآیند بهینه کند.

سازگاری با خلاء: چاک الکترواستاتیک سرامیکی برای محیط های خلاء به ویژه در فرآیندهای اچینگ با فشار کم و دقت بالا مناسب است.

تولید ذرات کم: E-chack سرامیکی متخلخل SiC دارای سطح صافی است که می‌تواند آلودگی ذرات را در حین تثبیت ویفر کاهش دهد و به بهبود عملکرد محصول کمک کند.

کاربرد: عمدتاً در ساخت نیمه هادی ها استفاده می شود، چاک الکترواستاتیک سرامیکی قابل جدا شدن، موقعیت دقیق و پایداری را ارائه می دهد که برای لیتوگرافی، اچینگ و سایر فرآیندهای تولید ویفر نیمه هادی بسیار مفید است. اطمینان حاصل کنید که ویفر در طول پردازش دست نخورده است و کیفیت تولید تراشه را بهبود می بخشد.

نیمه هادی VeTekفروشگاه های تولید ای چاک سرامیک: