صفحه اصلی > محصولات > پوشش کاربید سیلیکون > کاربید سیلیکون جامد

چین کاربید سیلیکون جامد سازنده، تامین کننده، کارخانه


کاربید سیلیکون جامد نیمه هادی VeTek یک جزء سرامیکی مهم در تجهیزات اچینگ پلاسما، کاربید سیلیکون جامد است.کاربید سیلیکون CVD) قطعات در تجهیزات اچ شاملحلقه های فوکوس، سر دوش گاز، سینی، حلقه های لبه و غیره. به دلیل واکنش پذیری و رسانایی کم کاربید سیلیکون جامد (CVD سیلیکون کاربید) به گازهای حکاکی حاوی کلر و فلوئور، یک ماده ایده آل برای حلقه های متمرکز کننده تجهیزات اچ پلاسما و سایر موارد است. اجزاء


به عنوان مثال، حلقه فوکوس بخش مهمی است که در خارج از ویفر و در تماس مستقیم با ویفر قرار می گیرد، با اعمال ولتاژ به حلقه برای متمرکز کردن پلاسمای عبوری از حلقه و در نتیجه تمرکز پلاسما بر روی ویفر برای بهبود یکنواختی. پردازش حلقه فوکوس سنتی از سیلیکون یاکوارتزسیلیکون رسانا به عنوان یک ماده حلقه فوکوس رایج، تقریبا به رسانایی ویفرهای سیلیکونی نزدیک است، اما کمبود آن مقاومت در برابر اچینگ ضعیف در پلاسمای حاوی فلوئور است، قطعات دستگاه اچ مواد اغلب برای یک دوره زمانی استفاده می شود، وجود خواهد داشت جدی پدیده خوردگی، به طور جدی بازده تولید آن را کاهش می دهد.


Sحلقه فوکوس SiC قدیمیاصل کار

Working Principle of Solid SiC Focus Ring


مقایسه حلقه فوکوس مبتنی بر Si و حلقه فوکوس CVD SiC:

مقایسه حلقه فوکوس مبتنی بر Si و حلقه فوکوس سی وی دی سی سی
مورد و سی وی دی سی سی
چگالی (g/cm3) 2.33 3.21
Band gap (eV) 1.12 2.3
هدایت حرارتی (W/cm℃) 1.5 5
CTE (x10-6/℃) 2.6 4
مدول الاستیک (GPa) 150 440
سختی (GPA) 11.4 24.5
مقاومت در برابر سایش و خوردگی بیچاره عالی


VeTek Semiconductor قطعات پیشرفته کاربید سیلیکون جامد (CVD سیلیکون کاربید) مانند حلقه های متمرکز SiC را برای تجهیزات نیمه هادی ارائه می دهد. حلقه های متمرکز کاربید سیلیکون جامد ما از نظر استحکام مکانیکی، مقاومت شیمیایی، هدایت حرارتی، دوام در دمای بالا و مقاومت در برابر حکاکی یونی از سیلیکون سنتی بهتر عمل می کنند.


ویژگی های کلیدی حلقه های فوکوس SiC ما عبارتند از:

چگالی بالا برای کاهش نرخ اچ.

عایق عالی با فاصله باند بالا.

هدایت حرارتی بالا و ضریب انبساط حرارتی پایین.

مقاومت در برابر ضربه مکانیکی و خاصیت ارتجاعی.

سختی بالا، مقاومت در برابر سایش و مقاومت در برابر خوردگی.

تولید شده با استفاده ازرسوب دهی بخار شیمیایی با پلاسما (PECVD)با تکنیک‌ها، حلقه‌های فوکوس SiC ما نیازهای روزافزون فرآیندهای اچینگ در تولید نیمه‌رسانا را برآورده می‌کنند. آنها به گونه ای طراحی شده اند که قدرت و انرژی بالاتر پلاسما را تحمل کنند، به ویژه درپلاسمای جفت شده خازنی (CCP)سیستم ها

حلقه های فوکوس SiC VeTek Semiconductor عملکرد و قابلیت اطمینان استثنایی را در تولید دستگاه های نیمه هادی ارائه می دهند. اجزای SiC ما را برای کیفیت و کارایی برتر انتخاب کنید.


View as  
 
سر دوش سیلیکون کاربید

سر دوش سیلیکون کاربید

VeTek Semiconductor تولید کننده و تامین کننده محصولات سر دوش سیلیکون کاربید در چین است. سر دوش SiC دارای تحمل دمای بالا، پایداری شیمیایی، هدایت حرارتی و عملکرد خوب توزیع گاز است که می تواند به توزیع یکنواخت گاز دست یابد و کیفیت فیلم را بهبود بخشد. بنابراین معمولاً در فرآیندهای با دمای بالا مانند رسوب شیمیایی بخار (CVD) یا رسوب بخار فیزیکی (PVD) استفاده می شود. از مشاوره بیشتر خود استقبال کنید.

ادامه مطلبارسال استعلام
حلقه مهر و موم کاربید سیلیکون

حلقه مهر و موم کاربید سیلیکون

به عنوان یک تولید کننده و کارخانه حرفه ای حلقه مهر و موم کاربید سیلیکون در چین، حلقه مهر و موم کاربید سیلیکون نیمه هادی VeTek به دلیل مقاومت عالی در برابر حرارت، مقاومت در برابر خوردگی، استحکام مکانیکی و هدایت حرارتی به طور گسترده ای در تجهیزات پردازش نیمه هادی استفاده می شود. این به ویژه برای فرآیندهای شامل دمای بالا و گازهای واکنش پذیر مانند CVD، PVD و اچ پلاسما مناسب است و یک انتخاب ماده کلیدی در فرآیند تولید نیمه هادی است. سوالات بیشتر شما خوش آمدید.

ادامه مطلبارسال استعلام
بلوک CVD SiC برای رشد کریستال SiC

بلوک CVD SiC برای رشد کریستال SiC

VeTek Semiconductor بر تحقیق و توسعه و صنعتی سازی منابع حجیم CVD-SiC، پوشش های CVD SiC و پوشش های CVD TaC تمرکز دارد. با در نظر گرفتن بلوک CVD SiC برای رشد کریستال SiC، فناوری پردازش محصول پیشرفته است، سرعت رشد سریع، مقاومت در برابر دمای بالا و مقاومت در برابر خوردگی قوی است. به پرس و جو خوش آمدید.

ادامه مطلبارسال استعلام
فناوری جدید رشد کریستال SiC

فناوری جدید رشد کریستال SiC

کاربید سیلیکون با خلوص فوق العاده بالا (SiC) شرکت Vetek Semiconductor که توسط رسوب بخار شیمیایی (CVD) تشکیل شده است، می تواند به عنوان منبعی برای رشد کریستال های کاربید سیلیکون توسط انتقال فیزیکی بخار (PVT) استفاده شود. در فناوری رشد کریستال SiC، ماده منبع در یک بوته بارگذاری شده و بر روی یک کریستال بذر تصعید می شود. از بلوک های دور ریخته شده CVD-SiC برای بازیافت مواد به عنوان منبعی برای رشد کریستال های SiC استفاده کنید. به ایجاد همکاری با ما خوش آمدید.

ادامه مطلبارسال استعلام
سر دوش CVD SiC

سر دوش CVD SiC

VeTek Semiconductor یک تولید کننده و مبتکر پیشرو در تولید سر دوش CVD SiC در چین است. ما سال هاست در مواد SiC تخصص داشته ایم. فرسایش پلاسما. ما مشتاقانه منتظر هستیم تا شریک طولانی مدت شما در چین شویم.

ادامه مطلبارسال استعلام
سر دوش SiC

سر دوش SiC

VeTek Semiconductor یک تولید کننده و مبتکر پیشرو در تولید سر دوش SiC در چین است. ما سال ها در زمینه مواد SiC تخصص داشته ایم. ما مشتاقانه منتظر تبدیل شدن به شریک طولانی مدت شما در چین هستیم.

ادامه مطلبارسال استعلام
به عنوان یک تولید کننده و تامین کننده حرفه ای کاربید سیلیکون جامد در چین، ما کارخانه خود را داریم. چه به خدمات سفارشی‌سازی شده برای رفع نیازهای خاص منطقه خود نیاز داشته باشید یا بخواهید پیشرفته و بادوام کاربید سیلیکون جامد ساخت چین بخرید، می‌توانید برای ما پیام بگذارید.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept