> اخبار

اخبار

تاریخچه توسعه 3C SiC

از طریق پیشرفت مداوم تکنولوژیکی و تحقیقات عمیق مکانیزم، انتظار می رود فناوری هترواپیتاکسیال 3C-SiC نقش مهم تری در صنعت نیمه هادی ایفا کند و توسعه دستگاه های الکترونیکی با راندمان بالا را ارتقا دهد.

ادامه مطلب

دستور رسوب لایه اتمی ALD

ALD فضایی، رسوب لایه اتمی ایزوله فضایی. ویفر بین موقعیت های مختلف حرکت می کند و در هر موقعیت در معرض پیش سازهای مختلف قرار می گیرد. شکل زیر مقایسه ای بین ALD سنتی و ALD ایزوله فضایی است.

ادامه مطلب

پیشرفت فناوری کاربید تانتالم، آلودگی همپایه SiC تا 75 درصد کاهش می یابد؟

اخیراً، مؤسسه تحقیقاتی آلمانی Fraunhofer IISB در تحقیق و توسعه فناوری پوشش کاربید تانتالم پیشرفتی ایجاد کرده است و محلول پوشش اسپری را توسعه داده است که نسبت به محلول رسوب CVD انعطاف پذیرتر و سازگار با محیط زیست است و تجاری شده است.

ادامه مطلب

کاربرد اکتشافی فناوری چاپ سه بعدی در صنعت نیمه هادی

در عصر توسعه سریع فناوری، چاپ سه بعدی، به عنوان نماینده مهم فناوری ساخت پیشرفته، به تدریج چهره تولید سنتی را تغییر می دهد. با بلوغ مستمر فناوری و کاهش هزینه ها، فناوری پرینت سه بعدی چشم انداز کاربردی گسترده ای را در بسیاری از زمینه ها مانند هوافضا، خودروسازی، تجهیزات پزشکی و طراحی معماری نشان داده ا......

ادامه مطلب

فناوری آماده سازی اپیتاکسی سیلیکون (Si).

مواد تک کریستالی به تنهایی نمی توانند نیازهای تولید رو به رشد دستگاه های نیمه هادی مختلف را برآورده کنند. در پایان سال 1959، یک لایه نازک از فناوری رشد مواد تک کریستال - رشد همپایه توسعه یافت.

ادامه مطلب

بر اساس فناوری کوره رشد تک کریستال کاربید سیلیکون 8 اینچی

کاربید سیلیکون یکی از مواد ایده آل برای ساخت دستگاه های با دمای بالا، فرکانس بالا، توان بالا و ولتاژ بالا است. به منظور بهبود راندمان تولید و کاهش هزینه ها، تهیه بسترهای کاربید سیلیکون با اندازه بزرگ یک جهت توسعه مهم است.

ادامه مطلب

<...6 7 8 9 10 >