دامن با روکش CVD SiC

VeTek Semiconductor یک تولید کننده، مبتکر و رهبر CVD SiC Coating و TAC Coating در چین است. سالهاست که ما بر روی محصولات مختلف پوشش سی سی سی سی سی از جمله دامن با روکش CVD SiC، حلقه پوششی سی وی دی سی سی، حامل پوشش سی وی دی سی سی و غیره تمرکز کرده ایم. مشاوره

ارسال استعلام

توضیحات محصول

Vetek Semiconductor یک تولید کننده حرفه ای دامن با روکش CVD SiC در چین است.

فناوری اپیتاکسی فرابنفش عمیق تجهیزات Aixtron نقش مهمی در تولید نیمه هادی ایفا می کند. این فناوری از یک منبع نور فرابنفش عمیق استفاده می کند تا مواد مختلف را از طریق رشد همپایی روی سطح ویفر رسوب دهد تا کنترل دقیق عملکرد و عملکرد ویفر را به دست آورد. فناوری اپیتاکسی فرابنفش عمیق در طیف گسترده ای از کاربردها استفاده می شود که تولید دستگاه های الکترونیکی مختلف از led گرفته تا لیزرهای نیمه هادی را پوشش می دهد.

در این فرآیند، دامن با روکش CVD SiC نقش کلیدی ایفا می کند. برای اطمینان از یکنواختی و ثبات در طول رشد اپیتاکسیال طراحی شده است تا از ورق اپیتاکسیال پشتیبانی کند و ورق اپیتاکسیال را به چرخش سوق دهد. با کنترل دقیق سرعت چرخش و جهت گیرنده گرافیت، می توان روند رشد حامل اپیتاکسیال را به دقت کنترل کرد.

این محصول از گرافیت با کیفیت بالا و پوشش کاربید سیلیکون ساخته شده است که عملکرد عالی و عمر طولانی آن را تضمین می کند. مواد گرافیتی وارداتی، پایداری و قابلیت اطمینان محصول را تضمین می کند، به طوری که می تواند در محیط های کاری مختلف عملکرد خوبی داشته باشد. از نظر پوشش، یک ماده کاربید سیلیکون کمتر از 5ppm برای اطمینان از یکنواختی و پایداری پوشش استفاده می شود. در عین حال، فرآیند جدید و ضریب انبساط حرارتی مواد گرافیت مطابقت خوبی را تشکیل می دهند، مقاومت در برابر حرارت بالا و مقاومت در برابر شوک حرارتی محصول را بهبود می بخشد، به طوری که هنوز می تواند عملکرد پایدار را در محیط دمای بالا حفظ کند.

خواص فیزیکی پایه دامن با پوشش سی سی سی سی وی دی:

خواص فیزیکی اولیه پوشش CVD SiC
اموال	ارزش معمولی
ساختار کریستالی	فاز β FCC پلی کریستالی، عمدتاً (111) گرا
تراکم	3.21 گرم بر سانتی متر مکعب
سختی	سختی 2500 ویکرز (بار 500 گرم)
اندازه دانه	2 تا 10 میکرومتر
خلوص شیمیایی	99.99995%
ظرفیت حرارتی	640 J·kg-1·K-1
دمای تصعید	2700 ℃
قدرت خمشی	415 مگاپاسکال RT 4 نقطه
مدول یانگ	430 Gpa خم 4pt، 1300℃
هدایت حرارتی	300W·m-1·K-1
انبساط حرارتی (CTE)	4.5×10-6K-1