پشتیبانی از پوشش SiC برای LPE PE2061S

نیمه هادی VeTek یک تولید کننده و مبتکر با پوشش SiC برای LPE PE2061S در چین است. ما سال هاست در مواد پوشش SiC تخصص داشته ایم. ما یک پشتیبانی با پوشش SiC برای LPE PE2061S ارائه می دهیم که به طور خاص برای راکتور اپیتاکسی سیلیکون LPE طراحی شده است. این پشتیبان پوشش داده شده SiC برای LPE PE2061S در قسمت پایینی بشکه است. می تواند دمای بالای 1600 درجه سانتیگراد را تحمل کند، عمر محصول قطعه یدکی گرافیت را افزایش می دهد. از ارسال درخواست برای ما خوش آمدید.

ارسال استعلام

توضیحات محصول

پشتیبانی با پوشش SiC با کیفیت بالا برای LPE PE2061S توسط سازنده چینی VeTek Semiconductor ارائه شده است. پشتیبانی با پوشش SiC برای LPE PE2061S که کیفیت بالا را مستقیماً با قیمت پایین دارد خریداری کنید.

پشتیبانی از پوشش نیمه هادی SiC VeTeK برای LPE PE2061S در تجهیزات اپیتاکسی سیلیکونی، که همراه با یک گیره از نوع بشکه ای برای پشتیبانی و نگه داشتن ویفرهای همپای (یا بسترها) در طول فرآیند رشد اپیتاکسی استفاده می شود.

صفحه پایین عمدتاً با کوره همپای بشکه ای استفاده می شود، کوره همپای بشکه دارای یک محفظه واکنش بزرگتر و راندمان تولید بالاتر نسبت به گیرنده همپایی تخت است.

ساپورت دارای طراحی سوراخ گرد است و در درجه اول برای خروجی اگزوز داخل راکتور استفاده می شود.

پشتیبانی از پوشش نیمه هادی SiC VeTeK برای LPE PE2061S برای سیستم راکتور اپیتاکسی فاز مایع (LPE)، با خلوص بالا، پوشش یکنواخت، پایداری در دمای بالا، مقاومت در برابر خوردگی، سختی بالا، هدایت حرارتی عالی، ضریب انبساط حرارتی پایین و عدم تعادل شیمیایی است. .

خواص فیزیکی اولیه پوشش CVD SiC:

خواص فیزیکی اولیه پوشش CVD SiC
ویژگی	ارزش معمولی
ساختار کریستالی	فاز β FCC پلی کریستالی، عمدتاً (111) گرا
تراکم	3.21 گرم بر سانتی متر مکعب
سختی	سختی 2500 ویکرز (بار 500 گرم)
اندازه دانه	2 تا 10 میکرومتر
خلوص شیمیایی	99.99995%
ظرفیت گرمایی	640 J·kg-1·K-1
دمای تصعید	2700 ℃
استحکام خمشی	415 مگاپاسکال RT 4 نقطه
مدول یانگ	430 Gpa خم 4pt، 1300℃
رسانایی گرمایی	300W·m-1·K-1
انبساط حرارتی (CTE)	4.5×10-6K-1