سر دوش SiC

شما می توانید مطمئن باشید که سر دوش SiC را از کارخانه ما خریداری کنید.

مواد کاربید سیلیکون دارای ترکیبی منحصر به فرد از خواص حرارتی، الکتریکی و شیمیایی عالی هستند، که آنها را برای کاربرد در صنعت نیمه هادی که به مواد با کارایی بالا مورد نیاز است، ایده آل می کند.

فناوری انقلابی VeTek Semiconductor تولید سر دوش SiC، یک ماده کاربید سیلیکون با خلوص فوق العاده بالا را که از طریق فرآیند رسوب شیمیایی بخار ایجاد می شود، امکان پذیر می کند.

سر دوش SiC یک جزء حیاتی در تولید نیمه هادی است که به طور خاص برای سیستم های MOCVD، اپیتاکسی سیلیکون و فرآیندهای اپیتاکسی SiC طراحی شده است. این جزء ساخته شده از کاربید سیلیکون جامد قوی (SiC)، می تواند در شرایط سخت پردازش پلاسما و کاربردهای دمای بالا مقاومت کند.

کاربید سیلیکون (SiC) به دلیل هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر خوردگی شیمیایی و استحکام مکانیکی استثنایی شناخته شده است که آن را به یک ماده ایده‌آل برای اجزای SiC حجیم مانند سر دوش SiC تبدیل می‌کند. سر دوش گاز توزیع یکنواخت گازهای فرآیند را بر روی سطح ویفر تضمین می کند که برای تولید لایه های اپیتاکسیال با کیفیت بالا ضروری است. حلقه‌های فوکوس و حلقه‌های لبه، که اغلب از CVD-SiC ساخته می‌شوند، توزیع پلاسما یکنواخت را حفظ می‌کنند و محفظه را از آلودگی محافظت می‌کنند و کارایی و بازده رشد اپیتاکسیال را افزایش می‌دهند.

سر دوش SiC با کنترل دقیق جریان گاز و خواص برجسته مواد، جزء کلیدی در پردازش نیمه هادی مدرن است که از کاربردهای پیشرفته در اپیتاکسی سیلیکون و اپیتاکسی SiC پشتیبانی می کند.

نیمه هادی VeTek یک سر دوش نیمه هادی سیلیکون کاربید متخلخل با مقاومت کم را ارائه می دهد. ما توانایی مهندسی سفارشی و عرضه مواد سرامیکی پیشرفته را با استفاده از انواع قابلیت های منحصر به فرد داریم.

پارامتر محصول سر دوش SiC:

فروشگاه تولید