بوته گرافیتی سه گلبرگ

بوته گرافیتی سه گلبرگ VeTek Semiconductor's Semiconductor's Semiconductor's Three-Pal Graphite Crucible یک ظرف مخصوص است که برای عملیات حرارتی مواد نیمه هادی به ویژه برای تولید تک کریستال ها طراحی شده است. این نقش حیاتی در کنترل رشد ساختارهای تک کریستالی مورد نیاز برای ساخت دستگاه های نیمه هادی ایفا می کند. VeTek Semiconductor مشتاق است که شریک طولانی مدت شما در چین شود.

ارسال استعلام

توضیحات محصول

VeTek Semiconductor یک تولید کننده و تامین کننده حرفه ای بوته گرافیتی سه گلبرگ در چین است. از ما خوش آمدید! بوته گرافیتی سه گلبرگ VeTek Semiconductor در درجه اول از مواد گرافیت با خلوص بالا ساخته شده است که پایداری حرارتی عالی، مقاومت شیمیایی و خواص انبساط حرارتی را ارائه می دهد. این ویژگی ها بوته گرافیتی سه گلبرگ VeTek Semiconductor را قادر می سازد تا در طول پردازش در دمای بالا در برابر شرایط شدید مقاومت کند.

بوته گرافیتی سه گلبرگ دقیقاً برای رسیدگی به شرایط سخت فرآیندهای تولید نیمه هادی طراحی شده است. دارای طراحی استوانه ای قوی با سطح داخلی صاف است که توزیع یکنواخت گرما و رشد کریستال را تسهیل می کند. علاوه بر این، بوته گرافیتی سه گلبرگ VeTek Semiconductor به گونه ای طراحی شده است که خطر آلودگی مواد نیمه هادی توسط ناخالصی ها را به حداقل برساند.

بوته گرافیتی سه گلبرگ هدایت حرارتی فوق العاده ای را نشان می دهد و از انتقال حرارت کارآمد و توزیع یکنواخت دما در طول فرآیند تبلور اطمینان می دهد. این باعث رشد یکنواخت کریستال می شود و گرادیان های حرارتی را که می تواند بر کیفیت محصول تأثیر بگذارد به حداقل می رساند.

بوته سه گلبرگ گرافیت VeTek Semiconductor's Semiconductor's Semiconductor's 3-Graphite Crucible در فرآیندهای مختلف تولید نیمه هادی، از جمله رشد شمش های سیلیکون تک کریستال از طریق تکنیک هایی مانند روش Czochralski و روش منطقه شناور کاربرد گسترده ای پیدا می کند. این بوته ها محیطی پایدار و کنترل شده برای تشکیل دقیق بلورهای نیمه هادی فراهم می کنند که برای تولید مواد با کیفیت بالا برای دستگاه های الکترونیکی بسیار مهم است.

برای مشخصات دقیق محصول بوته گرافیتی سه گلبرگ، لطفا با نیمه هادی VeTek تماس بگیرید.

پارامتر محصول بوته گرافیتی سه گلبرگ

خواص فیزیکی گرافیت ایزواستاتیک
ویژگی	واحد	ارزش معمولی
چگالی حجیم	g/cm³	1.83
سختی	HSD	58
مقاومت الکتریکی	mΩ.m	10
استحکام خمشی	MPa	47
مقاومت فشاری	MPa	103
استحکام کششی	MPa	31
مدول یانگ	GPa	11.8
انبساط حرارتی (CTE)	10-6K-1	4.6
رسانایی گرمایی	W·m-1·K-1	130
اندازه دانه متوسط	میکرومتر	8-10
تخلخل	%	10
محتوای خاکستر	ppm	≤10 (پس از تصفیه)