این مقاله ابتدا ساختار مولکولی و خواص فیزیکی TaC را معرفی میکند و بر تفاوتها و کاربردهای کاربید تانتالیم متخلخل و کاربید تانتالیوم CVD و همچنین محصولات پوششدهی TaC محبوب VeTek Semiconductor تمرکز دارد.
این مقاله به معرفی ویژگی های محصول پوشش CVD TaC، فرآیند تهیه پوشش CVD TaC با استفاده از روش CVD و روش پایه برای تشخیص مورفولوژی سطح پوشش CVD TaC تهیه شده می پردازد.
این مقاله ویژگی های محصول پوشش TaC، فرآیند خاص تهیه محصولات پوشش TaC با استفاده از فرآیند CVD را معرفی می کند و محبوب ترین پوشش TaC VeTek Semiconductor را معرفی می کند.
این مقاله دلایلی را تحلیل میکند که چرا پوشش SiC یک ماده اصلی برای رشد همبنی SiC است و بر مزایای خاص پوشش SiC در صنعت نیمهرسانا تمرکز میکند.
نانومواد کاربید سیلیکون (SiC) موادی با حداقل یک بعد در مقیاس نانومتری (100-1 نانومتر) هستند. این مواد می توانند صفر، یک، دو یا سه بعدی باشند و کاربردهای متنوعی داشته باشند.
CVD SiC یک ماده کاربید سیلیکون با خلوص بالا است که توسط رسوب شیمیایی بخار تولید می شود. این عمدتا برای اجزاء و پوشش های مختلف در تجهیزات پردازش نیمه هادی استفاده می شود. محتوای زیر مقدمه ای بر طبقه بندی محصولات و عملکردهای اصلی CVD SiC است