در صنعت تولید نیمه هادی، با ادامه کوچک شدن اندازه دستگاه، فناوری رسوب گذاری مواد لایه نازک چالش های بی سابقه ای را ایجاد کرده است. رسوب لایه اتمی (ALD)، به عنوان یک فناوری رسوب لایه نازک که می تواند به کنترل دقیق در سطح اتمی دست یابد، به بخشی ضروری از تولید نیمه هادی تبدیل شده است. هدف این مقاله معر......
ادامه مطلبساخت مدارهای مجتمع یا دستگاه های نیمه هادی بر روی یک لایه پایه کریستالی کامل ایده آل است. هدف فرآیند اپیتاکسی (epi) در ساخت نیمه هادی، قرار دادن یک لایه تک کریستالی ریز، معمولاً حدود 0.5 تا 20 میکرون، بر روی یک بستر تک کریستالی است. فرآیند اپیتاکسی مرحله مهمی در ساخت دستگاه های نیمه هادی به ویژه در ......
ادامه مطلبتفاوت اصلی بین اپیتاکسی و رسوب لایه اتمی (ALD) در مکانیسم رشد فیلم و شرایط عملیاتی آنها نهفته است. اپیتاکسی به فرآیند رشد یک لایه نازک کریستالی بر روی یک بستر کریستالی با یک رابطه جهت گیری خاص، با حفظ ساختار بلوری یکسان یا مشابه اشاره دارد. در مقابل، ALD یک تکنیک رسوب گذاری است که شامل قرار دادن یک ......
ادامه مطلب