دیسک چرخش سیاره ای با پوشش کاربید تانتالیوم

VeTek Semiconductor یک تولید کننده و مبتکر پیشرو دیسک چرخشی سیاره ای با پوشش کاربید تانتالم در چین است. ما سال ها در زمینه پوشش سرامیکی تخصص داشته ایم. محصولات ما دارای خلوص بالا و مقاومت در برابر دمای بالا هستند. ما مشتاقانه منتظر هستیم که شریک طولانی مدت شما در این زمینه باشیم. چین.

ارسال استعلام

توضیحات محصول

دیسک چرخشی سیاره ای با پوشش کاربید تانتالم با کیفیت بالا توسط سازنده چینی VeTek Semiconductor ارائه شده است. دیسک چرخشی سیاره ای با روکش کاربید تانتالیوم را با کیفیت بالا به طور مستقیم با قیمت پایین خریداری کنید.

دیسک چرخشی سیاره ای با پوشش کاربید تانتالیوم یک وسیله جانبی طراحی شده برای سیستم AIXTRON G10 MOCVD است که با هدف افزایش کارایی و کیفیت در ساخت نیمه هادی ها طراحی شده است. دیسک چرخش سیاره ای با پوشش کاربید تانتالیوم که از مواد با کیفیت بالا ساخته شده و با دقت ساخته شده است، عملکرد و قابلیت اطمینان فوق العاده ای را برای فرآیندهای رسوب بخار شیمیایی فلز-آلی (MOCVD) ارائه می دهد.

دیسک سیاره ای با استفاده از یک بستر گرافیت پوشش داده شده با CVD TaC ساخته شده است که پایداری حرارتی عالی، خلوص بالا و مقاومت در برابر دماهای بالا را ارائه می دهد.

دیسک سیاره ای قابل تنظیم برای قرار دادن اندازه های مختلف ویفر نیمه هادی، برای نیازهای مختلف تولید مناسب است. ساختار مستحکم آن به طور خاص برای مقاومت در برابر شرایط عملیاتی سخت سیستم MOCVD طراحی شده است، عملکرد طولانی مدت را تضمین می کند و زمان خرابی و هزینه های تعمیر و نگهداری مرتبط با حامل ها و گیرنده های ویفر را به حداقل می رساند.

با دیسک سیاره ای، سیستم AIXTRON G10 MOCVD می تواند کارایی بالاتر و نتایج برتر در تولید نیمه هادی ها را به دست آورد. پایداری حرارتی استثنایی، سازگاری با اندازه های مختلف ویفر و عملکرد قابل اعتماد آن را به ابزاری ضروری برای بهینه سازی راندمان تولید و دستیابی به نتایج برجسته در محیط چالش برانگیز MOCVD تبدیل کرده است.

پارامتر محصول دیسک چرخش سیاره ای با پوشش کاربید تانتالم

خواص فیزیکی پوشش TaC
تراکم	14.3 (g/cm³)
انتشار ویژه	0.3
ضریب انبساط حرارتی	6.3 10-6/K
سختی (HK)	2000 هنگ کنگ
مقاومت	1×10-5 اهم * سانتی متر
پایداری حرارتی	<2500℃
اندازه گرافیت تغییر می کند	-10~-20 میلی متر
ضخامت پوشش	مقدار معمولی ≥20um (10±35um)