حلقه منحرف کننده پوشش دار TaC VeTek Semiconductor's Semiconductor's TaC یک جزء بسیار تخصصی است که برای فرآیندهای رشد کریستال SiC طراحی شده است. پوشش TaC مقاومت عالی در دمای بالا و بی اثری شیمیایی را برای مقابله با دماهای بالا و محیط های خورنده در طول فرآیند رشد کریستال فراهم می کند. این امر عملکرد پایدار و عمر طولانی قطعه را تضمین می کند و دفعات تعویض و خرابی را کاهش می دهد. ما متعهد به ارائه محصولات با کیفیت با قیمت های رقابتی هستیم و مشتاقانه منتظر هستیم که شریک طولانی مدت شما در چین باشیم.
VeTek Semiconductor یک تولید کننده و تامین کننده حلقه منحرف کننده با روکش TaC چینی حرفه ای است. حلقه منحرف کننده با روکش TaC ما اجزایی بسیار تخصصی هستند که برای استفاده در فرآیندهای رشد کریستال SiC طراحی شده اند. این اجزا در محیطهایی که نیاز به مقاومت در برابر دمای بالا، دوام استثنایی و بیاثر بودن شیمیایی بیهمتا دارند، حیاتی هستند.
حلقه منحرف کننده پوشش دار TaC از کاربید تانتالم با خلوص بالا ساخته شده است که رسانایی حرارتی عالی و مقاومت شدید در برابر دماهای بالا و شوک حرارتی را ارائه می دهد. پوشش TaC این مؤلفه یک لایه حفاظتی اضافی در برابر مواد شیمیایی تهاجمی و محیط های خشن که در رشد کریستال رایج است، فراهم می کند. وجود پوشش دوام و عمر قطعه را افزایش می دهد و عملکرد ثابت را در چرخه های متعدد حفظ می کند.
حلقه منحرف کننده پوشش دار TaC می تواند تا دمای 2200 درجه سانتیگراد را تحمل کند و آن را برای فرآیندهای با دمای بالا ایده آل می کند. حلقه منحرف کننده پوشش دار TaC عمدتاً در صنعت نیمه هادی ها به ویژه برای رشد کریستال کاربید سیلیکون استفاده می شود. مناسب برای رآکتورهای رشد کریستال در مقیاس تحقیقاتی و صنعتی.
خواص فیزیکی پوشش TaC | |
تراکم | 14.3 (g/cm³) |
انتشار ویژه | 0.3 |
ضریب انبساط حرارتی | 6.3 10-6/K |
سختی (HK) | 2000 هنگ کنگ |
مقاومت | 1×10-5 اهم * سانتی متر |
پایداری حرارتی | <2500 ℃ |
اندازه گرافیت تغییر می کند | -10~-20 میلی متر |
ضخامت پوشش | مقدار معمولی ≥20um (10±35um) |